晶振是電子設(shè)備的“心臟"，相位噪聲則是衡量信號(hào)頻譜純度和系統(tǒng)底噪的核心參數(shù)。尤其對(duì)電子設(shè)備而言，低相噪?yún)⒖荚慈缤到y(tǒng)的“純凈血液"，直接決定了設(shè)備的抗干擾能力、測(cè)量靈敏度與通信可靠性，是5G-A/6G、雷達(dá)、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域設(shè)備的核心剛需。

當(dāng)前國內(nèi)時(shí)頻領(lǐng)域，100MHz OCXO常規(guī)產(chǎn)品 1kHz相位噪聲普遍為-159dBc/Hz左右，即便是中G端產(chǎn)品，也長(zhǎng)期卡在-160～-165dBc/Hz 區(qū)間，與國際水平存在明顯代差。放眼全球，國際主流G端產(chǎn)品1kHz相位噪聲多集中在-168～-172dBc/Hz，遠(yuǎn)端相噪常規(guī)值約為-177dBc/Hz。

賽思100MHz OCXO不僅以-170.03dBc/Hz@1kHz的實(shí)測(cè)性能躋身行列，更憑借-187.34dBc/Hz@1MHz的遠(yuǎn)端相噪表現(xiàn)，遠(yuǎn)超行業(yè)本底噪聲限值，彰顯出賽思 “智造" 的硬實(shí)力。

傳統(tǒng)認(rèn)知中，晶振的超低相噪常伴隨高功耗、大體積、窄溫區(qū)問題。面對(duì)6G“黃金頻段"的頻譜純度要求，以及AI-RAN、通感融合等新場(chǎng)景的時(shí)頻精度挑戰(zhàn)，賽思100MHz OCXO在實(shí)現(xiàn)超低相噪的同時(shí)，兼顧多項(xiàng)工程實(shí)用指標(biāo)，達(dá)成“高性能+便捷實(shí)用"雙重提升，適配多場(chǎng)景應(yīng)用。

● 高頻率穩(wěn)定度：秒穩(wěn)達(dá)8E-14/s，信號(hào)輸出精準(zhǔn)穩(wěn)定，為G端裝備打造“超高穩(wěn)度信號(hào)心臟"；

● 寬溫適應(yīng)：支持-40~+85℃至- 55~+105℃工作溫度范圍，適配工作環(huán)境；

● 多規(guī)格適配：封裝覆蓋插件（DIP）、貼片（SMD）全類型，涵蓋從92*82*92mm到7.7*5.5*3.3mm等9款尺寸，輸出波形包含正弦波、方波，電壓可選3.3V/5V/12V，適配不同硬件集成需求。

● 純國產(chǎn)自研：具備替代進(jìn)口同類產(chǎn)品的能力，且通過元器件國產(chǎn)化認(rèn)證，核心技術(shù)與關(guān)鍵物料均實(shí)現(xiàn)自主可控。

賽思OCXO選型手冊(cè)

此次100MHz OCXO的相噪突破，既是賽思在時(shí)頻技術(shù)領(lǐng)域的階段性成果，也是國產(chǎn)時(shí)頻器件追趕水平的重要一步。

作為深耕時(shí)頻領(lǐng)域的企業(yè)，賽思始終以技術(shù)創(chuàng)新為核心，聚焦G端時(shí)頻領(lǐng)域“卡脖子"難題，在核心技術(shù)研發(fā)上持續(xù)投入、久久為功。依托自營(yíng)的36,000㎡工廠，賽思系列晶振產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?、自動(dòng)化生產(chǎn)，可保障持續(xù)穩(wěn)定供應(yīng)，讓國產(chǎn)時(shí)頻“芯"真正扎根G端裝備領(lǐng)域。

賽思部分晶振產(chǎn)線

從核心技術(shù)自研到全棧性能突破，從工程適配到國產(chǎn)化替代，賽思以硬核創(chuàng)新助力國產(chǎn)時(shí)頻產(chǎn)業(yè)突圍。未來，賽思將持續(xù)聚焦時(shí)頻產(chǎn)品研發(fā)，不斷突破技術(shù)邊界，為我國電子信息產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)更多 “芯" 力量。